Apple-ın hibrid saxlama sistemi üçün yeni patenti ifşa edildi!

rəqəmli rəqəmlər Tom's Hardware-dən bir hesabata istinad edərək DRAM-ın davamlı inkişafı ilə DRAM dizaynının fərqli tətbiq məqsədləri səbəbiylə getdikcə daha da mürəkkəbləşdiyinə diqqət çəkdi. Saxlama sıxlığını / tutumunu yaxşılaşdırmağa yönəlmiş dizaynlar bant genişliyini azaldır (və ya heç olmasa artırmaz), bant genişliyini artıran dizaynlar isə tutumu və enerji səmərəliliyini azaldır (və ya heç olmasa). SoC dizaynerləri üçün çip tətbiqi tələblərinə cavab olaraq yaddaş bant genişliyi, tutum, enerji istehlakı və maliyyət arasında ən yaxşı tarazlığın necə əldə ediləcəyi böyük bir problem halına gəldi.

Apple-ın yeni patentləşdirilmiş texnologiyasına əsaslanan hibrid saxlama sistemi ən azı iki fərqli DRAM saxlama növünü əhatə edə bilər (məsələn, biri yüksək sıxlıqlı DRAM, digəri aşağı sıxlıqlı və ya az gecikməli və yüksək bant genişliyində DRAM). Bu, enerji istehlakını və səmərəliliyi-güc nisbətini əsas sayan mobil cihazlar və digər cihazlar üçün enerji qənaətcil bir işin əldə edilməsinə və saxlama qabiliyyətinin artırılmasına kömək edir.

Patentdə yüksək sürətli önbellek DRAM və əsas DRAM-ı birləşdirən bir neçə hibrid saxlama sistemini həyata keçirmək üçün silikon vasitəsilə (TSV) kimi bir çox əlaqəli texnologiyaların istifadəsini təsvir etdiyi bildirilir. Bundan əlavə, patent müraciəti PC prosessorunu deyil, SoC-nu əhatə edir.

Apple, yuxarıda göstərilən patent müraciətlərini Avropa Patent Bürosuna (EPO) və ABŞ, Çin və Yaponiyadakı patent tənzimləyici orqanlarına verdi.